MOSFET 23n50E

MOSFET 23n50E

หน้าแรก » มอสเฟต (MOSFET) » MOSFET 23n50E

ความนิยมสูงสุดและลักษณะ

คะแนนสูงสุดแอบโซลูทที่ Tc = 25 ° C (เว้นแต่เอ็ดระบุไว้เป็นอย่างอื่น) 

• ท่อระบายน้ำและแหล่งกระแสไฟ VDS 500 V / 500 V VDSX VGS = -30V 
• เดรนอย่างต่อเนื่อง ID ปัจจุบัน± 23 
• ชีพจรท่อระบายน้ำ IDP ปัจจุบัน± 92 
• เกตและแหล่งกระแสไฟ VGS ± 30 V 
• ซ้ำ ๆ และไม่ซ้ำสูงสุดถล่ม IAR ปัจจุบัน 23 หมายเหตุ * 1 
• แบบไม่ซ้ำสูงสุดถล่มพลังงาน EAS 767.3 mJ หมายเหตุ * 2 
• ซ้ำสูงสุดถล่มพลังงาน EAR 15 mJ หมายเหตุ * 3 
• พีคไดโอดกู้คืน dV / DT dV / DT 5.4 กิโลโวลต์ / ไมโครวินาทีหมายเหตุ * 4 
• พีคไดโอดกู้คืน -DI / DT -DI / DT 100 A / ไมโครวินาทีหมายเหตุ * 5 
• ค่าสูงสุดของกำลังงานสูญเสีย Pd PD 3.13 / 130 W ตา = 25 ° C / Tc = 25 ° C
• การดำเนินงานและอุณหภูมิในการเก็บช่วงชิ 150 ° C / Tstg -55 ถึง + 150 ° C
• แยกแรงดันไฟฟ้า VISO 2 kVrms t = 60sec, f = 60Hz

ดาวน์โหลด Datasheet 23n50E 

http://fc2ry.com/url/?nyi-23n50E

MOSFET 23N50E